Samsung 990 PRO M.2 1000 GB PCI Express 4.0 V-NAND MLC NVMe

Especificaciones clave
Marca SAMSUNG
Modelo MZ-V9P1T0BW
  • Samsung 990 PRO M.2 1000 GB PCI Express 4.0 V-NAND MLC NVMe
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Descripción

Samsung 990 PRO M.2 1000 GB PCI Express 4.0 V-NAND MLC NVMe
Marca: SAMSUNG
Part number: MZ-V9P1T0BW

Especificaciones

CaracterÍ­sticas
Factor de forma de disco SSD M.2
SDD, capacidad 1000 GB
Interfaz PCI Express 4.0
Tipo de memoria V-NAND MLC
NVMe Si
Componente para PC
Encriptación de hardware Si
Versión NVMe 2.0
Algoritmos de seguridad soportados 256-bit AES
Velocidad de lectura 7450 MB/s
Velocidad de escritura 6900 MB/s
Lectura aleatoria (4KB) 1200000 IOPS
Escritura aleatoria (4KB) 1550000 IOPS
Carriles datos de interfaz PCI Express x4
Función DevSleep Si
Soporte S.M.A.R.T. Si
Soporte TRIM Si
Memoria caché DDR externa Si
Cantidad de memoria caché DDR externa 1024 MB
Tiempo medio entre fallos 1500000 h
Control de energÍ­a
Voltaje de operación 3,3 V
Consumo de energÍ­a (max) 7,8 W
Consumo de energÍ­a (promedio) 5,4 W
Condiciones ambientales
Intervalo de temperatura operativa 0 - 70 ºC
Máxima temperatura 70 ºC
Vibración operativa 1500 G
Peso y dimensiones
Ancho 80 mm
Profundidad 2,3 mm
Altura 22 mm
Peso 9 g
Empaquetado
Tipo de embalaje Caja

Seguridad del producto

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