Samsung MZ-V9S1T0 1 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC

Especificaciones clave
Marca SAMSUNG
Modelo MZ-V9S1T0BW
  • 1 TB M.2 PCI Express 4.0
  • Velocidad de lectura: 7150 MB/s 850000 IOPS
  • Velocidad de escritura: 6300 MB/s 1350000 IOPS
  • V-NAND TLC NVMe 2.0
  • Encriptación de hardware 256-bit AES
  • Soporte S.M.A.R.T. Soporte TRIM
  • Componente para: PC
Pago 100% seguro Visa · Mastercard · PayPal · Transferencia

9

De un vistazo
9 g
Peso

Descripción

1 TB M.2 PCI Express 4.0
Velocidad de lectura: 7150 MB/s 850000 IOPS
Velocidad de escritura: 6300 MB/s 1350000 IOPS
V-NAND TLC NVMe 2.0
Encriptación de hardware 256-bit AES
Soporte S.M.A.R.T. Soporte TRIM
Componente para: PC
Marca: SAMSUNG
Part number: MZ-V9S1T0BW

Especificaciones

Control de energía
Voltaje de operación 3,3 V
Consumo eléctrico promedio (lectura) 4,3 W
Consumo eléctrico promedio (escritura) 4,2 W
Peso y dimensiones
Ancho 80,2 mm
Profundidad 2,38 mm
Altura 22,1 mm
Peso 9 g
Condiciones ambientales
Intervalo de temperatura operativa 0 - 70 °C
Golpes en funcionamiento 1500 G

Seguridad del producto

Opiniones de clientes

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