Samsung MZ-VAP8T0 8 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC

- 8 TB M.2 PCI Express 5.0 - Velocidad de lectura: 14800 MB/s 2200000 IOPS - Velocidad de escritura: 13400 MB/s 2600000 ...

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Características

- 8 TB M.2 PCI Express 5.0
- Velocidad de lectura: 14800 MB/s 2200000 IOPS
- Velocidad de escritura: 13400 MB/s 2600000 IOPS
- V-NAND TLC NVMe
- Encriptación de hardware 256-bit AES
- Soporte S.M.A.R.T. Soporte TRIM
- Componente para: PC/ordenador portátil


Especificaciones


Características

SDD, capacidad: 8 TB
Factor de forma de disco SSD: M.2
Interfaz: PCI Express 5.0
NVMe: Si
Tipo de memoria: V-NAND TLC
Componente para: PC/ordenador portátil
Encriptación de hardware: Si
Algoritmos de seguridad soportados: 256-bit AES
Velocidad de lectura: 14800 MB/s
Velocidad de escritura: 13400 MB/s
Lectura aleatoria (4KB): 2200000 IOPS
Escritura aleatoria (4KB): 2600000 IOPS
Carriles datos de interfaz PCI Express: x4
Función DevSleep: Si
Soporte S.M.A.R.T.: Si
Soporte TRIM: Si
Tiempo medio entre fallos: 1500000 h

Control de energía

Voltaje de operación: 3,3 V

Peso y dimensiones

Ancho: 80,2 mm
Profundidad: 3,88 mm
Altura: 22,1 mm

Empaquetado

Tipo de embalaje: Caja

Condiciones ambientales

Intervalo de temperatura operativa: 0 - 70 °C
Golpes en funcionamiento: 1500 G

Otras características

Periodo de garantía: 5 año(s)

  • Marca: SAMSUNG
  • Peso: 50 Gr
  • Código del producto: MZ-VAP8T0BW
  • Código EAN/UPC: 8806095811680
  • Part number: MZ-VAP8T0BW

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